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伊藤 政幸
DEI-92-113, p.57 - 62, 1992/12
放射線の照射によるゴムの劣化は、ゴム分子鎖の切断と架橋、極性基とハイドロパーオキサイドの蓄積によって引き起こされるので、線量と各々の反応量との関係を求める事は重要である。本報では以下の3点について最近のデータを含めてまとめた。1.化学応力緩和を用いた切断と架橋のG値を求める方法の検討。2.照射に伴うC=0基の生成量を赤外吸収スペクトルによって求め、その濃度と体積固有抵抗値との関係の検討。3.照射による化学発光量の増加の様子を測定し、発光量に及ぼす酸化防止剤の影響を、照射に伴うハイドロパーオキサイドの蓄積を仮定しての検討。